IGBT BG200B12LY2-1

Описание IGBT BG200B12LY2-1

IGBT BG200B12LY2-1 – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в модульном исполнении, предназначенный для высоковольтных и сильноточных приложений. Используется в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и промышленных системах управления.

Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, высокую термостабильность и встроенный свободно-колеблющий диод (FRD).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 200 А |
| Импульсный ток (I_CM) | до 400 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | ~600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при I_C = 200 А) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~250 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,12 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Корпус | Модуль (изолированный, с винтовыми клеммами) |

Характеристики встроенного диода

| Обратное напряжение (V_RRM) | 1200 В |
| Прямой ток (I_F) | 200 А |
| Время восстановления (t_rr) | ~100 нс |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R12KE3, FF200R12KT3
• Mitsubishi: CM200DY-12NFH
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• Hitachi: MBN200C12LH

Совместимые модели в том же форм-факторе:

• BG200B12LY2-2 (модификация с улучшенными динамическими параметрами)
• BG150B12LY2-1 (150 А версия)
• BG300B12LY2-1 (300 А версия)

Применение

• Промышленные инверторы
• Электроприводы и ЧПУ
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Тяговые преобразователи

Если вам нужны дополнительные данные (например, графики вольт-амперных характеристик или рекомендации по теплоотводу), уточните запрос!