IGBT APT75GN120J

Описание IGBT APT75GN120J

APT75GN120J — это N-канальный IGBT-транзистор с напряжением 1200 В и током коллектора 75 А, разработанный компанией Microchip Technology (ранее Microsemi). Модуль предназначен для высоковольтных и высокочастотных приложений, таких как:

• Промышленные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Электромобили и зарядные станции

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 75 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 45 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 150 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 75 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_θJC) | 0,42 °C/Вт |
| Время включения (t_on) | 65 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Тип IGBT | Punch-Through (PT) |
| Встроенный диод | Быстрый обратный диод (FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Microchip/Microsemi:

• APT75GP120J (аналог с улучшенными характеристиками)
• APT75GN120JDQ2 (модификация с оптимизированными параметрами)
• APT50GN120J (меньший ток, но совместим по напряжению)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW75N120T2 (TO-247, 75 А, 1200 В)
• STMicroelectronics: STGW75H120DF2 (TO-247, 75 А, 1200 В)
• Fuji Electric: 2MBI75N-120 (модульный IGBT, 75 А, 1200 В)

Примечания по замене

• При замене на аналог необходимо учитывать напряжение насыщения (V_CE(sat)) и временные параметры переключения.
• В схемах с высокими частотами рекомендуется использовать IGBT с быстрым диодом (например, APT75GP120J).
• Для повышенных токов можно рассмотреть модули в корпусе TO-264 или IHM (например, FZ750R65KE3 от Infineon).

Если требуется точная замена, лучше свериться с даташитами и провести тестирование в реальной схеме.