IGBT 7MBR25VA120A-50

Описание IGBT 7MBR25VA120A-50

IGBT 7MBR25VA120A-50 — это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT) в модульном исполнении, предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах и системах управления электродвигателями. Модуль включает в себя диод обратной проводимости (FRD) и обеспечивает высокую эффективность и надежность в условиях высоких токов и напряжений.

Основные технические характеристики

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 25 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 50 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,0 В (при I_C = 25 А)
• Время включения (t_on): 100 нс
• Время выключения (t_off): 300 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: модульный, изолированный (7MBR серия)

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги от Fuji Electric:

• 7MBR25VA120-50 (полный аналог)
• 7MBR25VB120-50 (схожие параметры, другой корпус)
• 7MBR25SA120-50 (альтернатива с близкими характеристиками)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF25R12KE3
• Mitsubishi: CM25DY-12H
• SEMIKRON: SKM25GB12V
• ON Semiconductor: NGTB25N120FL2WG

Аналоги в других корпусах:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, TO-247AC)
• HGTG20N120BND (Fairchild, TO-264)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Особенности

• Встроенный диод обратного восстановления (FRD)
• Высокая стойкость к перегрузкам
• Низкие потери при переключении
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.