IGBT 7MBP75RU2A120

Описание IGBT модуля 7MBP75RU2A120

Производитель: Fuji Electric (или другой, в зависимости от фактического производителя)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным диодом (DUAL)
Назначение: Используется в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях, требующих высокого напряжения и тока.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 75 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CP): 150 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~300 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~2.0 В (типовое при номинальном токе)
• Время включения/выключения (t_on/t_off): ~100 нс / ~300 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C

Диодные характеристики (обратный диод):

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Номинальный прямой ток (I_F): 75 А
• Падение напряжения (V_F): ~1.8 В

Тепловые параметры:

• Термосопротивление переход-корпус (R_th(j-c)): ~0.25 °C/Вт
• Корпус: Изолированный (с базовой пластиной)

Механические параметры:

• Тип корпуса: Модуль с винтовыми клеммами
• Монтаж: На радиатор (с термопастой)

Парт-номера и аналоги

Прямые замены (оригинальные и аналоги):

• Fuji Electric: 7MBP75RA120 (возможный аналог)
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Infineon: FF75R12RT4
• SEMIKRON: SKM75GB12T4

Совместимые модели (по характеристикам):

• Hitachi: 6MBP75RA120
• Toshiba: MG75Q2YS40
• IXYS: MIXA75PE1200

Примечания

1. Перед заменой убедитесь в совпадении распиновки и характеристик.
2. Рекомендуется использовать оригинальный модуль или официальные аналоги.
3. Охлаждение критично для надежной работы – используйте радиаторы с низким R_th.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните производителя или приложите даташит.