IGBT 703GB126HDS

Описание IGBT-модуля 703GB126HDS

703GB126HDS — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для высоковольтных и высокомощных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|---------------------------------------| | Тип модуля | IGBT + Диод (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 100 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 70 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_CM) | 200 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при 50 А) | | Мощность рассеивания (P_tot) | 300 Вт | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.25 °C/Вт | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный модуль (изолированный) | | Вес | ~100 г (зависит от производителя) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF100R12KT4
• Mitsubishi: CM100DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI100U4A-120
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели в линейке производителя:

• 703GB100HDS (1000 В, 100 А)
• 703GB150HDS (1500 В, 70 А)
• 703GB170HDS (1700 В, 60 А)

Модуль 703GB126HDS может заменяться аналогами с близкими параметрами по току и напряжению, но перед заменой рекомендуется проверять разводку выводов и характеристики управления.

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы возобновляемой энергии (солнечные инверторы)
• Электроприводы и двигатели
• Сварочное оборудование

Если вам нужна более точная информация по конкретному производителю или datasheet, уточните бренд модуля (например, Infineon, SEMIKRON и др.).