IGBT 6R1MBI75P-160-54

IGBT Module: 6R1MBI75P-160-54

Описание:

Модуль 6R1MBI75P-160-54 — это IGBT-транзистор с обратным диодом (NPT IGBT + FRD), предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип IGBT | NPT (Non-Punch Through) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1600 В |
| Номинальный ток (I_C @25°C) | 75 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2,5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 110 нс |
| Время выключения (t_off) | 500 нс |
| Температурный диапазон | -40°C…+150°C |
| Корпус | 6-контактный, модульный (например, 1MBI) |

Встроенный диод (FRD):

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 1600 В |
| Прямой ток (I_F) | 75 А |
| Падение напряжения (V_F) | 2,1 В (тип.) |

Парт-номера и совместимые модели:

Прямые аналоги:

• 6R1MBI75P-160 (аналогичная серия, возможны небольшие отличия)
• CM75DY-24H (Mitsubishi)
• FF75R12KT4 (Infineon)
• MG75Q1BS41 (Toshiba)

Совместимые модули (по характеристикам):

• 1MBI75U4D-160 (Fuji Electric)
• BSM75GD160DN2 (SEMIKRON)

Если требуется точная замена, рекомендуется уточнять datasheet, так как могут быть различия в корпусе и управляющих контактах.

Примечание: Для точного подбора замены следует учитывать параметры драйвера и условия эксплуатации.