IGBT 6R1MBI125LP16054

Описание IGBT модуля 6R1MBI125LP16054

6R1MBI125LP16054 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в мощных преобразовательных системах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Возобновляемая энергетика

Модуль выполнен в компактном корпусе, обеспечивает высокую эффективность и надежность благодаря передовой технологии IGBT 6-го поколения (NPT/Trench Gate).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Производитель | Mitsubishi Electric | | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Корпус | 6-выводной (серия LP) | | Макс. напряжение VCES | 1600 В | | Номинальный ток IC (25°C) | 125 А | | Макс. ток (IC @100°C) | 75 А | | Импульсный ток (ICM) | 250 А | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | 550 Вт | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.4 В (тип.) | | Время включения (ton) | 110 нс | | Время выключения (toff) | 630 нс | | Диапазон температур | -40°C ... +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.12 °C/Вт |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 6R1MBI125LP16054-50 (полный аналог с улучшенными параметрами)
• 6R1MBI125LP16054-ND (версия для поставки в США)

Совместимые замены от других производителей:

• Infineon: FF1400R17IP4 (необходима проверка распиновки)
• Fuji Electric: 6MBI125VA-160-50
• SEMIKRON: SKM145GB176D

Примечания

• Перед заменой необходимо уточнять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
• Рекомендуется использовать оригинальные Mitsubishi модули для критичных применений.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос!