IGBT 6MBP50VBA120-50

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6MBP50VBA120-50
Описание IGBT модуля 6MBP50VBA120-50
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, уточните)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (DUAL / 2-in-1)
Назначение: Преобразование и управление мощностью в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании, промышленных электроприводах и системах возобновляемой энергии.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Номинальный ток (IC) | 50 А |
| Ток импульсный (ICP) | 100 А |
| Падение напряжения (VCE(sat)) | 2.0 В (тип.) |
| Мощность рассеивания (Ptot) | 200 Вт |
| Температура перехода (Tj) | -40°C ~ +150°C |
| Корпус | 6MBP (стандартный модуль с изолированным основанием) |
| Входная емкость (Cies) | 10 нФ (тип.) |
| Встроенный диод | Да (FRD) |
| Вес | ~100 г (зависит от производителя) |
Альтернативные парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (зависит от производителя):
- Mitsubishi: 6MBP50VBA120-50 (оригинал)
- Fuji Electric: 6MBP50VA120-50
- Infineon: FF50R12RT4
- Semikron: SKM50GB12T4
Совместимые модели (с проверкой распиновки!):
- IR (Infineon): IRG4PH50UD
- Toshiba: MG50Q2YS40
Примечания:
- Перед заменой убедитесь в совпадении:
- Напряжения и тока.
- Корпуса и расположения выводов.
- Наличия встроенного диода (если требуется).
- Для точного подбора аналога используйте datasheet оригинального модуля.
Если производитель модуля другой (например, Fuji или Infineon), уточните данные для корректного сравнения.