IGBT 6MBP150JB060

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 6MBP150JB060
Описание IGBT-модуля 6MBP150JB060
6MBP150JB060 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Fuji Electric, предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Модуль имеет встроенные диоды обратного хода (FRD), что обеспечивает эффективную работу в схемах с высокой коммутационной нагрузкой.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |------------------------|----------| | Тип модуля | IGBT + FRD (Fast Recovery Diode) | | Конфигурация | 2 в 1 (два IGBT + два диода в одном корпусе) | | Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В | | Ток коллектора (IC) | 150 А (при 25°C) | | Ток коллектора (IC) | 75 А (при 100°C) | | Максимальный импульсный ток (ICP) | 300 А | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2,1 В (тип.) | | Потери мощности | 270 Вт (тип.) | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0,25 °C/Вт | | Диапазон температур | -40°C до +150°C | | Корпус | 6MBP (изолированный, с винтовыми клеммами) |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (Fuji Electric):
- 6MBP150RA060 (аналогичный модуль с улучшенными характеристиками)
- 6MBP100JB060 (на 100 А, 600 В)
- 6MBP200JB060 (на 200 А, 600 В)
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF150R06KE3
- Mitsubishi: CM150DY-24H
- SEMIKRON: SKM150GB066D
- ON Semiconductor: NXH150B600H4Q2
Применение
- Промышленные частотные преобразователи
- Сварочные инверторы
- Управление электродвигателями
- ИБП и системы резервного питания
Примечание
При замене модуля на аналог от другого производителя рекомендуется проверять распиновку и тепловые характеристики, так как они могут отличаться.
Если вам нужна дополнительная информация (например, схема подключения или графики характеристик), уточните запрос!