IGBT 6MBI50U4A120

Описание IGBT модуля 6MBI50U4A120

Модель: 6MBI50U4A120
Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric также использует схожую маркировку, но в данном случае это Fuji)
Тип: IGBT-модуль с диодом обратного хода (NPT IGBT + FRD)
Конфигурация: Один полумост (Half-Bridge)
Корпус: 6MBI (изолированный, для монтажа на радиатор)

Технические характеристики

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток (I_C при 25°C): 50 А
• Импульсный ток (I_CP): 100 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 200 Вт (при 25°C)
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2.2 В (типовое, при I_C = 50 А)
• Время включения (t_on): 80 нс
• Время выключения (t_off): 400 нс
• Температура хранения/эксплуатации: от -40°C до +125°C
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0.35 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Fuji Electric:

• 6MBI50U4A120-01 (улучшенная версия)
• 6MBI50U4A120-02 (модификация с другим корпусом)

Частично совместимые аналоги от других производителей:

• Mitsubishi: CM50DY-12H (1200V, 50A, Half-Bridge)
• Infineon: FF50R12RT4 (1200V, 50A, Half-Bridge)
• SEMIKRON: SKM50GB12T4 (1200V, 50A, Half-Bridge)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП, VFD)
• Инверторы для электродвигателей
• Системы управления мощностью
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужна более точная информация по заменам, уточните условия работы (частота, охлаждение, нагрузка).