IGBT 6MBI50120

Описание IGBT модуля 6MBI50120

6MBI50120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для применения в силовой электронике, включая инверторы, частотные преобразователи, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями.

Модуль имеет встроенный диод (FRD – Fast Recovery Diode) и низкие потери проводимости, что делает его эффективным в высоковольтных и сильноточных приложениях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с диодом (6-й серии) | | Макс. напряжение (Vces) | 1200 В | | Макс. ток (Ic @ 25°C) | 50 А | | Макс. импульсный ток (Icm) | 100 А (кратковременно) | | Падение напряжения (Vce(sat)) | ~1.8 В (тип.) | | Встроенный диод (If) | 50 А (макс.) | | Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для инверторов) | | Корпус | Стандартный, изолированный (с термопрокладкой) | | Рабочая температура | -40°C ... +125°C (с учетом теплового режима) | | Вес | ~120 г (зависит от комплектации) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер Mitsubishi

• 6MBI50120-060 (полное обозначение)

Совместимые модели и аналоги

1. Fuji Electric:
   • 2MBI50N-120
   • 2MBI50U4H-120
2. Infineon:
   • FF50R12RT4
3. SEMIKRON:
   • SKM50GB12T4
4. ON Semiconductor:
   • NGBT50N120L3 (частичная замена)

Применение

• Преобразователи частоты (VFD)
• Сварочные инверторы
• Управление двигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой модуля на аналог рекомендуется уточнять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в конструкции.

Если нужна дополнительная информация по подключению или замене – уточняйте!