IGBT 6MBI15N120

Описание IGBT 6MBI15N120

6MBI15N120 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для мощных силовых применений. Модуль выполнен в стандартном корпусе и рассчитан на высокие напряжения и токи, что делает его подходящим для:

• Преобразователей частоты (ЧП)
• Инверторов
• Систем управления двигателями
• Источников бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленного оборудования

Ключевые особенности:

• Низкие потери проводимости и переключения
• Высокая надежность и термостабильность
• Встроенный свободный диод (FWD)
• Изолированный корпус для удобства монтажа

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 15 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 8 А | | Максимальный импульсный ток (I_CP) | 30 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 80 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 100 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 350 нс (тип.) | | Рабочая температура | -40°C ... +150°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.83 °C/Вт | | Корпус | 6MBI (2 в 1, полумост) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные модули Mitsubishi:

• 6MBP15RA120 (аналог с другим корпусом)
• 6MBI15U4-120
• 6MBI15U4-120-50

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF150R12RT4
• Fuji Electric: 6MBI15C-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Cross-reference (альтернативы):

• IRG4PH40UD (International Rectifier, для менее мощных систем)
• HGTG20N120BND (ON Semiconductor)

Примечания

• Перед заменой модуля рекомендуется проверить распиновку и параметры управления затвором.
• Для оптимального охлаждения рекомендуется использовать термопасту и радиатор.

Если нужны дополнительные данные (например, графики характеристик или схемы подключения), уточните запрос!