IGBT 6DI50MB050

Описание IGBT 6DI50MB050

IGBT 6DI50MB050 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и силовых электронных устройств. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных приложениях.

Модуль обладает низкими потерями при переключении, высокой устойчивостью к перегрузкам и эффективным теплоотводом благодаря конструкции с изолированным корпусом.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|--------------------------|----------------------------------|
| Тип | IGBT модуль (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А |
| Ток импульса (I_CM) | 100 А (кратковременно) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 25°C) |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Темп. перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
| Встроенный диод | Да (антипараллельный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW50N60T, IKW50N65ES5
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N65SMD
• STMicroelectronics: STGW50H65DFB
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• Toshiba: GT50J325

Похожие модули (в других корпусах):

• 6DI50U-050 (аналог в другом форм-факторе)
• IRG4PH50UD (International Rectifier)

Примечания

• Совместимость: При замене необходимо учитывать параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.
• Охлаждение: Рекомендуется использование радиатора с теплопроводящей пастой.

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос!