IGBT 6DI50B050

Описание IGBT 6DI50B050

IGBT 6DI50B050 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в мощных импульсных и силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и систем управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (NPT-технология) |
| Количество IGBT в модуле | 1 |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Пиковый ток коллектора (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8 В (при 25 А, 25°C) |
| Время включения (t_on) | 40 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температурный диапазон | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW50N60T
• Fuji Electric: 2MBI50N-060
• Mitsubishi: CM50DY-24H
• STMicroelectronics: STGW50NC60WD
• ON Semiconductor: FGA50N65SMD

Совместимые модули в других корпусах:

• 6DI50B060 (600 В, 50 А)
• 6DI75B050 (500 В, 75 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления двигателями
• Сварочные аппараты
• Импульсные источники питания

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие электрическим параметрам и тепловым характеристикам.