IGBT 6BMI100VW060

Описание IGBT модуля 6BMI100VW060

6BMI100VW060 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Infineon Technologies, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в силовых электронных системах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой надежностью и компактной конструкцией.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT с антипараллельным диодом (6-й генерации) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А | | Макс. ток коллектора (I_CM) | 200 А (импульсный) | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,7 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~30 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура перехода (T_j) | от -40°C до +150°C | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,25 К/Вт | | Корпус | 62 мм (полумостовой модуль) | | Вес | ~110 г |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Infineon

• 6MBP100VA060 (аналог с другим корпусом)
• 6MBP100VB060
• 6MBP100VC060

Совместимые модели от других производителей

• Fuji Electric: 6MBP100VX060
• Mitsubishi Electric: CM100DY-24NFH
• SEMIKRON: SKM100GB066D

Применение

Модуль 6BMI100VW060 используется в:

• Преобразователях частоты
• Инверторах для электроприводов
• Импульсных источниках питания
• Сварочных аппаратах
• Системах управления двигателями

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверять datasheet и параметры конкретного применения. Нужна дополнительная информация?