IGBT 60B120KDP

Описание IGBT 60B120KDP

IGBT 60B120KDP – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он используется в импульсных источниках питания, инверторах, сварочных аппаратах, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод
• Высокая устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Макс. ток коллектора IC | 60 А (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 120 А | | Падение напряжения VCE(sat) | ~2,5 В (тип.) | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~300 Вт (зависит от охлаждения) | | Время включения (ton) | ~50 нс | | Время выключения (toff)| ~300 нс | | Встроенный диод | Быстрый антипараллельный | | Корпус | TO-247 / TO-3P | | Рабочая температура | -55°C до +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и аналогичные модели:

• Infineon: IKW60N120H3, IKW60N120T2
• Fuji Electric: 2MBI100XAA120-50
• Mitsubishi: CM60DY-24H
• STMicroelectronics: STGW60H120DF2
• ON Semiconductor: NGTB60N120IHLWG

Совместимые модели (аналоги с близкими параметрами):

• 60A / 1200В:
  • IRG4PH50UD (International Rectifier, 55A)
  • HGTG30N120BND (Microsemi, 30A, но в параллельном включении)
  • IXGH60N120B3 (IXYS, 60A)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если вам нужна замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие по току, напряжению и характеристикам переключения. Для точного подбора аналога лучше использовать поиск по параметрам на сайтах производителей (Infineon, STMicroelectronics и др.).

Нужна дополнительная информация?