IGBT 5-IXGH20N120B

Описание и технические характеристики IGBT 5-IXGH20N120B

Тип: IGBT-транзистор (N-канальный) с ультрабыстрым диодом
Производитель: IXYS (Littelfuse)
Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
Ток коллектора (I_C при 25°C): 20 А
Ток коллектора (I_C при 100°C): 12 А
Максимальный импульсный ток (I_CM): 40 А
Мощность рассеивания (P_D): 200 Вт
Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.) при I_C = 20 А
Время включения (t_on): 50 нс (тип.)
Время выключения (t_off): 300 нс (тип.)
Тепловое сопротивление (R_θJC): 0,63 °C/Вт
Корпус: TO-247 (IXGH)
Диапазон температур: от -40°C до +150°C

Встроенный диод (антипараллельный):

• Напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 20 А
• Время восстановления (t_rr): 150 нс (тип.)

Аналоги (совместимые модели и парт-номера):

1. IXGH20N120B3 (модификация с улучшенными динамическими характеристиками)
2. IXGH20N120B2 (альтернативная версия с другим корпусом)
3. IXGH20N120A (предыдущая версия с близкими параметрами)
4. IXGH20N120C (аналог с повышенной надежностью)
5. IRG4PH50UD (от Infineon, 1200 В, 21 А, TO-247)
6. FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 25 А, TO-3P)
7. HGTG20N120BN (STMicroelectronics, 1200 В, 20 А, TO-247)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Электроприводы и сервосистемы

Если вам нужны более точные аналоги или данные по замене в конкретной схеме, уточните условия работы (частоты, нагрузки, охлаждение).