IGBT 5-FGH50T65UPD

Описание IGBT 5-FGH50T65UPD

IGBT 5-FGH50T65UPD – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных приложений. Он обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, импульсных источников питания, систем управления электродвигателями и других силовых электронных устройств.

Корпус TO-247 обеспечивает хорошие тепловые характеристики, а встроенный диод (антипараллельный) упрощает конструкцию схем.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT с антипараллельным диодом |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 650 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 230 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 25 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +175°C |
| Корпус | TO-247 |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Epitaxial Diode – FRED) |

Парт-номера и аналоги:

• Оригинальный номер: 5-FGH50T65UPD
• Аналоги (в зависимости от производителя и характеристик):
  • Infineon: IKW50N65EH5
  • Fairchild/ON Semiconductor: FGH50T65UPD
  • STMicroelectronics: STGW50HF60WD
  • IXYS: IXGH50N60B3D1

Совместимые модели:

• По напряжению и току:
  • 5-FGH40T65UPD (40 А, 650 В)
  • 5-FGH60T65UPD (60 А, 650 В)
  • 5-FGH50T65SFD (аналог с улучшенными динамическими характеристиками)
• По корпусу TO-247:
  • IRG4PH50UD (International Rectifier)
  • HGTG50N65SFD (Fairchild/ON Semi)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметрам схемы.