IGBT 50nc60wd

Описание и технические характеристики IGBT 50NC60WD

Описание:
IGBT 50NC60WD – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А (непрерывный) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А (непрерывный) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,7 В (при I_C = 25 А) | | Время включения (t_on) | 30 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Аналоги и совместимые модели:

Парт-номера (альтернативные модели):

• IRG4PC50WD (International Rectifier)
• FGA50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)

Совместимые модели (аналогичные параметры):

• 50N60 (аналог без встроенного диода)
• 40NC60 (меньший ток, но схожее напряжение)
• 60NC60 (более высокий ток, 600 В)

Примечание:
При замене IGBT 50NC60WD на аналог необходимо учитывать не только электрические параметры, но и тепловые характеристики, а также наличие/отсутствие встроенного обратного диода.

Если требуется точная замена, рекомендуется использовать оригинальные компоненты от производителя или проверенные аналоги с аналогичными V_CES, I_C и корпусом (TO-247).