IGBT 503GB126V1

Описание IGBT-модуля 503GB126V1

IGBT 503GB126V1 – это высоковольтный силовой модуль, используемый в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других устройствах управления мощностью. Модуль объединяет IGBT-транзисторы и диоды в одном корпусе, обеспечивая высокую эффективность и надежность в силовых электронных схемах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT (с диодом обратного хода) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 75 А |
| Пиковый ток (I_CM) | 150 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 75 А) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 80 нс / 500 нс |
| Температура эксплуатации | -40°C ... +150°C |
| Корпус | модуль (изолированный) |
| Тип изоляции | 2500 В (мин.) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• Infineon: FF75R12YT3
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75S-120
• SEMIKRON: SKM75GB128D

Совместимые модели (похожие параметры):

• 503GB120V1 (1200 В, 75 А, аналог с другим креплением)
• 503GB100V1 (1000 В, 75 А)
• CM75DY-24H (Mitsubishi, 1200 В, 75 А)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электроприводов
• Сварочное оборудование
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется уточнение по конкретному производителю или дополнительным характеристикам, укажите – помогу найти более точные аналоги!