IGBT 40N120FL2WG

Описание IGBT 40N120FL2WG

IGBT 40N120FL2WG — это изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT) с напряжением 1200 В и током 40 А, предназначенный для высокоэффективных силовых приложений, таких как инверторы, импульсные источники питания, двигатели и промышленные системы управления.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES = 1200 В)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод для защиты от обратного напряжения
• Корпус TO-247 для эффективного теплоотвода

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C при 25°C) | 40 А |
| Ток коллектора (I_C при 100°C) | 25 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 80 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8–2,5 В (зависит от тока) |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200–250 Вт (с радиатором) |
| Время включения (t_on) | 30–50 нс |
| Время выключения (t_off) | 100–200 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и эквиваленты:

• Infineon: IKW40N120H3, IKW40N120T2
• Fairchild / ON Semiconductor: FGA40N120ANTD, FGH40N120SMD
• STMicroelectronics: STGW40H120DF2
• Mitsubishi: CM400DY-24A

Совместимые модели с близкими параметрами:

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 1200V, 40A, TO-247)
• IXGH40N120B3 (IXYS, 1200V, 40A, TO-247)
• NGTB40N120FL2WG (On Semiconductor, 1200V, 40A, TO-247)

Применение

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Солнечные инверторы
• ИБП (источники бесперебойного питания)

Если вам нужна спецификация от производителя, рекомендуется проверить документацию на Infineon или ON Semiconductor, так как этот IGBT может быть частью их линейки.