IGBT 31NAB12T11

IGBT-модуль 31NAB12T11: описание и технические характеристики

Описание

Модуль 31NAB12T11 – это IGBT-транзистор с диодом обратного хода (антипараллельным диодом), предназначенный для использования в мощных преобразовательных устройствах, таких как:

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Модуль выполнен в корпусе NGBT (NAB), обеспечивающем хорошие тепловые и электрические характеристики.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------------|----------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) при 25°C | 31 А |
| Импульсный ток коллектора (I_CM) | 62 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~2,1 В |
| Время включения (t_on) | ~60 нс |
| Время выключения (t_off) | ~220 нс |
| Рабочая температура | -40°C…+150°C |
| Тип корпуса | NAB (NGBT) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Прямые аналоги (замены):

• 31NAB12T11 (оригинал)
• FZ31NAB12T11 (Fuji Electric)
• MGJ31NAB12T11 (Mitsubishi)
• CM31NAB12T11 (Cree/Wolfspeed)

Частично совместимые модели (проверять по параметрам):

• 30NAB12T11 (30 А вместо 31 А)
• 25NAB12T11 (25 А, меньше по току)
• 40NAB12T11 (40 А, мощнее, но может потребоваться доработка охлаждения)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW30N120T (30 А, 1200 В)
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD (30 А, 1200 В)
• ON Semiconductor: NGTB30N120FL2WG (30 А, 1200 В)

Применение и особенности

• Подходит для высокочастотных преобразователей благодаря быстрому переключению.
• Требует эффективного охлаждения (радиатор + термопаста).
• Рекомендуется использовать драйверы с защитой от перегрузки (например, 2SC0435T от Fuji).

Если вам нужна точная замена, лучше сверить распиновку и электрические параметры с оригиналом.

Нужна дополнительная информация?