IGBT 2SC0535T2A0-33

Описание IGBT 2SC0535T2A0-33

IGBT-модуль 2SC0535T2A0-33 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором, разработанный для силовых электронных применений. Он широко используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также хорошей термостабильностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Производитель | Infineon (возможен другой бренд) | | Тип устройства | NPT IGBT + Diode (антипараллельный диод) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Ток в импульсе (I_CM) | 150 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 300 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 75 А, 25°C) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~200 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тип корпуса | модуль (например, 53x38 мм) | | Схема подключения | Half-Bridge (возможны другие варианты) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги от Infineon:

• 2SC0535T2A0-17 (версия с другим напряжением/током)
• 2SC0535T2A0-34
• FF75R12RT4 (аналог по параметрам)

Аналоги других производителей:

• STGW75HF60WD (STMicroelectronics)
• MG75Q1US41 (Toshiba)
• CM75DY-24H (Mitsubishi)

Совместимые модули в схемах:

• SKM75GB12T4 (Semikron, аналогичные характеристики)
• FZ75R12KE3 (Fuji Electric)

Примечания

1. Проверяйте datasheet перед заменой, так как параметры могут отличаться.
2. Учитывайте схему подключения (Half-Bridge, Single IGBT и т. д.).
3. Для замены в критичных системах рекомендуется консультация с производителем.

Если у вас есть дополнительные данные (например, фото маркировки или схема), можно уточнить аналоги точнее.