IGBT 2SC0435T2G1-17

Описание IGBT 2SC0435T2G1-17

IGBT 2SC0435T2G1-17 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями проводимости и переключения, а также хорошей термостабильностью.

Основные области применения:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Промышленные сварочные аппараты

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1700 В | | Ток коллектора (I_C) | 43 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 100°C) | | Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 250 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,5 В (типовое) | | Время включения (t_on) | 55 нс (типовое) | | Время выключения (t_off) | 350 нс (типовое) | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) | | Рабочая температура | -40°C … +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• 2SC0435T2G1 (оригинал от ON Semiconductor)
• IXGH43N170 (IXYS)
• FGA43N170 (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PC50UD (International Rectifier/Infineon)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• HGTG43N170 (Microsemi)
• STGW43N170 (STMicroelectronics)
• APT43GR170J (Microchip)

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверить datasheet на соответствие электрическим и тепловым характеристикам.

Нужны дополнительные данные или уточнения?