IGBT 2SC0435T2AO-17

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT 2SC0435T2AO-17
Описание IGBT 2SC0435T2AO-17
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) 2SC0435T2AO-17 – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других устройствах, требующих эффективного управления большими токами и напряжениями.
Данный модуль обладает высокой переключательной способностью, низкими потерями проводимости и высокой температурной стабильностью.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |------------------------|--------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT/Trench) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1700 В | | Номинальный ток коллектора (IC) | 43 A (при 25°C) | | Ток импульсный (ICM) | 86 A | | Напряжение насыщения (VCE(sat)) | ≤ 2,5 В (при IC = 43 A) | | Рассеиваемая мощность (Ptot) | ~200 Вт (с радиатором) | | Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | ~0,25 °C/Вт | | Индуктивность контура затвора (LE) | ≤ 50 нГн | | Встроенный диод (FWD) | Да (антипараллельный) | | Корпус | TO-247 (или аналогичный модульный) |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- 2SC0435T2A0-17 (альтернативное написание)
- IXGH43N170 (от IXYS)
- FGA43N170 (Fairchild/ON Semi)
- IRG4PC50UD (International Rectifier)
- CM300DY-17NF (Mitsubishi, модульный аналог)
Совместимые модели (схожие параметры):
- 2SC0108T2A0-17 (меньший ток)
- 2SC0106T2A0-17 (аналог от Toshiba)
- STGW40H170DF2 (STMicroelectronics)
- APT170GN60JDQ4 (Microsemi)
Применение
- Силовые инверторы
- Сварочные аппараты
- Приводы двигателей
- ИБП (источники бесперебойного питания)
- Солнечные инверторы
При замене модуля необходимо учитывать схему управления затвором и параметры драйвера. В некоторых случаях может потребоваться подстройка схемы.
Если вам нужны дополнительные данные (графики, даташит), уточните производителя (Toshiba, Infineon и др.).