IGBT 2-MID75-12A3

Описание IGBT-модуля 2-MID75-12A3

IGBT-модуль 2-MID75-12A3 – это силовой полупроводниковый модуль, предназначенный для использования в преобразователях частоты, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль оснащён высоковольтными IGBT-транзисторами с быстрым переключением, что обеспечивает высокую эффективность и надежность в работе.

Корпус модуля выполнен в стандартном изолированном исполнении, что обеспечивает удобство монтажа и хорошие тепловые характеристики.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип модуля | IGBT + диодный модуль |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 75 А |
| Ток импульса (I_CP) | 150 А (кратковременно) |
| Мощность (P_tot) | до 300 Вт (с учётом охлаждения) |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 75 А) |
| Температура эксплуатации | -40°C … +125°C |
| Тип корпуса | MID (Modular Isolated Design) |
| Изоляция | 2500 В (между основанием и выводами) |
| Вес | ~150–200 г |

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги (полная совместимость):

• Infineon: FF75R12RT4, FF75R12KE3
• SEMIKRON: SKM75GB12T4, SKM75GB12V
• Mitsubishi: CM75DY-12H
• Fuji Electric: 2MBI75L-120

Частично совместимые модели (требуется проверка распиновки):

• IXYS: MIXA75PE1200
• Powerex (Mitsubishi): PM75CLA120

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Промышленные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если требуется точная замена, рекомендуется уточнять распиновку и параметры управления затвором у конкретного производителя.