IGBT 2MI50F-050A

Описание IGBT-модуля 2MI50F-050A

2MI50F-050A – это IGBT-модуль, предназначенный для использования в силовой электронике, преобразователях частоты, инверторах и других системах управления электродвигателями. Модуль обладает высокой термостойкостью и эффективностью, что делает его подходящим для промышленных применений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода (DUAL) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 500 В |
| Номинальный ток (I_C) | 50 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | Изолированный (обычно TO-247 или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• FGA50N60SMD (Fairchild)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• HGTG50N60B3 (ON Semiconductor)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)

Совместимые модули в схожих корпусах:

• 2MI75F-050A (75 А, 500 В)
• 2MI100F-050A (100 А, 500 В)
• CM50DY-24H (Mitsubishi)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять распиновку и характеристики в даташите, так как параметры могут незначительно отличаться.