IGBT 2MBI75VA120-50

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 2MBI75VA120-50

Общее описание

Модуль 2MBI75VA120-50 – это двухканальный IGBT-модуль (DUAL), разработанный компанией Fuji Electric. Он предназначен для использования в инверторах, преобразователях частоты, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями и хорошей тепловой стабильностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|--------------| | Тип модуля | DUAL IGBT (2 в 1) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) | 75 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CP) | 150 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 80 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 320 нс (тип.) | | Встроенный диод (FWD) | Да (антипараллельный) | | Термическое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,35 °C/Вт | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150°C | | Корпус | 2-pack (изолированный) | | Вес | ~100 г |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и парт-номера:

• Fuji Electric:
  • 2MBI75VA-120-50 (полный аналог)
  • 2MBI75N-120 (близкий аналог, может отличаться параметрами)
• Mitsubishi:
  • CM75DY-24H (аналог по характеристикам)
• Infineon:
  • FF75R12KE3 (аналог, но требует проверки распиновки)
• SEMIKRON:
  • SKM75GB128D (альтернативный вариант)

Совместимые модели в системах:

Модуль 2MBI75VA120-50 может заменяться на аналоги с близкими параметрами (1200 В, 75 А), но перед установкой необходимо проверить:

• Распиновку и конструкцию корпуса.
• Наличие встроенного антипараллельного диода.
• Тепловые и электрические характеристики.

Для точного подбора рекомендуется использовать datasheet производителя или консультироваться с поставщиком.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схемы подключения или графики характеристик), уточните запрос!