IGBT 2MBI25L120

Описание IGBT модуля 2MBI25L-120

2MBI25L-120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от компании Mitsubishi Electric, предназначенный для использования в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с диодами обратного восстановления (FRD) в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | Полумост (2 в 1, Half-Bridge) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 25 А |
| Макс. ток (I_CM) | 50 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 25 А, 25°C) |
| Время включения (t_on) | ≤ 60 нс |
| Время выключения (t_off) | ≤ 300 нс |
| Встроенный диод (FRD) | Да (Fast Recovery Diode) |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,45 °C/Вт |
| Макс. рабочая температура (T_j) | 150°C |
| Корпус | 2MBI (изолированный, с базовой пластиной) |
| Вес | ~80 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi Electric:

• 2MBI25L-120 (оригинальная модель)
• 2MBI25N-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI25LB-120 (модификация с низкими потерями)

Совместимые/альтернативные модели от других производителей:

• Infineon: FF50R12RT4 (50A, 1200V, полумост)
• Fuji Electric: 2MBI25L-120 (полный аналог)
• SEMIKRON: SKM50GB12T4 (50A, 1200V, полумост)
• ON Semiconductor: NXA50T120L (50A, 1200V)

Применение

• Промышленные инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Модуль требует правильного теплоотвода и управления затвором через драйвер с подходящими уровнями напряжения (обычно +15 В / -8 В).

Если вам нужна более точная информация по заменам или datasheet, уточните область применения.