IGBT 2MBI200U4H-120

Описание IGBT-модуля 2MBI200U4H-120

Производитель: Mitsubishi Electric (или другой бренд, если уточнить)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (DUAL / 2 в 1)
Назначение: Управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Пиковый ток (I_CP) | 400 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт (при T_c=25°C) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 200 А) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | ~100 нс / ~300 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ... +150°C |
| Корпус | Изолированный (с базовой пластиной) |
| Вес | ~200 г |

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные аналоги Mitsubishi:

• 2MBI200U4H-120 (основная модель)
• 2MBI200U4H-120-50 (возможная модификация)

Совместимые/альтернативные модели других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI200U4H-120 (аналогичный код)
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• IXYS: MIXA200PF1200

Применяемые схемы и заменяемость:

Модуль может быть заменен аналогами с аналогичными параметрами (1200 В, 200 А), но важно учитывать:

• Распиновку и крепление.
• Тепловые характеристики.
• Наличие встроенного диода.

Перед заменой рекомендуется сверяться с datasheet конкретного производителя.

Если требуется уточнение по конкретному бренду или аналогам, укажите — помогу подобрать оптимальный вариант!