IGBT 2MBI200S120-03

Описание IGBT модуля 2MBI200S120-03

2MBI200S120-03 – это двухканальный IGBT-модуль (DUAL) с напряжением коллектор-эмиттер 1200 В и номинальным током 200 А. Модуль предназначен для использования в мощных инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT (DUAL) | | Максимальное напряжение (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А | | Пиковый ток (I_CP) | 400 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,1 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | ~ 90 нс | | Время выключения (t_off) | ~ 400 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~ 0,12 °C/Вт | | Корпус | 2MBI (изолированный) | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Вес | ~ 190 г |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Mitsubishi Electric:
  • 2MBI200U4B-120 (аналог с улучшенными параметрами)
  • 2MBI200U4C-120
• Fuji Electric:
  • 2MBI200U4B-120
  • 2MBI200U4H-120
• Infineon:
  • FF200R12KT3 (аналог, но в другом корпусе)
• SEMIKRON:
  • SKM200GB12T4

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Системы управления электроприводами
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль 2MBI200S120-03 обеспечивает высокую надежность и эффективность в силовых схемах благодаря низким потерям и хорошему тепловому режиму.

Если нужны дополнительные параметры (например, характеристики встроенных диодов, графики зависимости тока от температуры), уточните запрос.