IGBT 2MBI200S120

Описание IGBT модуля 2MBI200S120

2MBI200S120 — это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором) производства Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль выполнен в стандартном корпусе и используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 200 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 400 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_C) | 1250 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.3 В (тип.) |
| Падение напряжения диода (V_F) | 1.7 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Температурный диапазон | -40°C ... +125°C |
| Корпус | 62 мм (стандартный) |
| Вес | ~200 г |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги Mitsubishi:

• 2MBI200U2A-120 (более новая версия)
• 2MBI200U4A-120
• 2MBI200U6A-120

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3, FF200R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI200U4H-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4
• IXYS (Littelfuse): MIXA200PF1200TS

Применение

• Частотные преобразователи
• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна дополнительная информация по замене или схемам подключения, уточните детали!