IGBT 2MBI150U4A120

Описание и технические характеристики IGBT-модуля 2MBI150U4A120

Производитель: Mitsubishi Electric
Тип модуля: IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) + диодный модуль
Назначение: Преобразователи частоты, инверторы, системы управления двигателями, промышленные приводы, источники бесперебойного питания (ИБП).

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|--------------------------------|--------------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0,18 мкс |
| Время выключения (t_off) | 0,55 мкс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ... +150°C |
| Тип корпуса | 2-in-1 (два IGBT + два диода) |
| Изоляция | 2500 В (AC, 1 мин) |

Совместимые модели и парт-номера

Аналогичные модули от Mitsubishi Electric:

• 2MBI150U4A-120 (альтернативное обозначение)
• 2MBI150U4A-120-50 (версия с дополнительными параметрами)

Прямые аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12KT4
• Fuji Electric: 2MBI150U4A-120 (аналогичный формат)
• Semikron: SKM150GB12T4

Совместимые модули с похожими характеристиками:

• 2MBI100U4A-120 (100 А, 1200 В)
• 2MBI200U4A-120 (200 А, 1200 В)
• CM150DY-24A (от Powerex, 150 А, 1200 В)

Примечания:

• Модуль 2MBI150U4A120 требует использования термопасты и радиатора для эффективного охлаждения.
• Рекомендуется проверять datasheet перед заменой, так как параметры управления (напряжение затвора, температурный режим) могут отличаться у аналогов.

Если вам нужны дополнительные параметры (характеристики диодов, динамические параметры), уточните запрос.