IGBT 2MBI150S120

Описание IGBT модуля 2MBI150S120

2MBI150S120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) производства Mitsubishi Electric (или Fuji Electric в некоторых сериях), предназначенный для высокочастотных преобразователей, инверторов и систем управления мощностью. Модуль содержит два IGBT с антипараллельными диодами, собранные в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность рассеивания (P_tot) | 600 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 0.18 мкс |
| Время выключения (t_off) | 0.55 мкс |
| Диод обратного восстановления (t_rr) | 0.25 мкс |
| Температура эксплуатации | -40°C до +150°C |
| Корпус | 2 в 1 (Half-Bridge), изолированный |
| Монтаж | Винтовой (планка) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от Mitsubishi/Fuji Electric:

• 2MBI150U2B-120 (аналог с улучшенными характеристиками)
• 2MBI150U2A-120
• 2MBI150N-120 (старая версия)

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF150R12YT3, FF150R12KT3
• SEMIKRON: SKM150GB12T4
• ON Semiconductor: NXH150B120H3Q1
• Hitachi: CM150DY-12S

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• ИБП и солнечные инверторы
• Управление электродвигателями

Если нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните!