IGBT 2MBI150NT-120

Описание IGBT-модуля 2MBI150NT-120

Производитель: Fuji Electric (Mitsubishi Electric также выпускает аналогичные модули под другими маркировками)
Тип: IGBT-модуль с диодным обратным восстановлением (NPT-IGBT + FRD)
Назначение: Применяется в инверторах, частотных преобразователях, системах управления двигателями, сварочном оборудовании и промышленных источниках питания.

Технические характеристики

1. Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
2. Ток коллектора (I_C):
   • При 25°C: 150 А
   • При 80°C: 75 А (снижение из-за нагрева)
3. Ток импульсный (I_CP): 300 А
4. Рассеиваемая мощность (P_tot): 400 Вт
5. Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (тип.)
6. Время включения/выключения (t_on/t_off):
   • t_on: 90 нс
   • t_off: 400 нс
7. Температурный диапазон: -40°C … +125°C
8. Тип корпуса: 2-in-1 (два IGBT + два FRD в одном модуле)
9. Крепление: Винтовое (изолированное основание)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги Fuji Electric:

• 2MBI150N-120 (аналогичный модуль без изменения параметров)
• 2MBI150U4H-120 (новая серия с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели других производителей:

• Mitsubishi Electric: CM150DY-12H
• Infineon: FF150R12RT4
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Примечания по замене

Перед заменой модуля убедитесь в совпадении:

• Распиновки и корпуса
• Рабочего напряжения и тока
• Типа управления (уровень затвора)

Если требуется более современный аналог, рассмотрите 2MBI200XN-120 (200А, 1200В) или модули с технологией X-Series (низкие потери).

Для точного подбора проверяйте даташит производителя!