IGBT 2MBI150120

Описание IGBT-модуля 2MBI150120

2MBI150120 — это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) от Mitsubishi Electric, предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как:

• Преобразователи частоты
• Промышленные приводы
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Инверторы для солнечных электростанций

Модуль выполнен в компактном корпусе с изолированным основанием, что упрощает монтаж на радиатор. Включает в себя два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами, собранные по схеме полумоста (Half-Bridge).

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-------------|
| Тип модуля | IGBT Half-Bridge (2 в 1) |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Ном. ток коллектора (I_C) | 150 А |
| Макс. импульсный ток (I_CP) | 300 А |
| Мощность потерь (P_tot) | 330 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 90 нс |
| Время выключения (t_off) | 400 нс |
| Температура хранения | -40°C ... +125°C |
| Температура перехода (T_j) | до 150°C |
| Корпус | 2MBI (изолированный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера Mitsubishi:

• 2MBI150U2A-120 (альтернативное обозначение)
• 2MBI150U2A-120-50 (версия с доп. опциями)

Совместимые модели других производителей:

• Infineon: FF150R12KT3 (аналог по характеристикам)
• Fuji Electric: 2MBI150VA-120
• SEMIKRON: SKM150GB12T4

Аналоги с близкими параметрами:

• IR (Infineon): IRG4PH50UD (1200V, 55A, требует пересчёта по току)
• Toshiba: MG150Q2YS40 (1200V, 150A)

Примечания:

1. Замена аналогами требует проверки по распиновке и тепловым характеристикам.
2. Рекомендуется использовать оригинальные драйверы (например, M57962L для Mitsubishi IGBT).
3. Для корректной работы необходима эффективная система охлаждения (радиатор + термопаста).

Если нужна дополнительная информация по подключению или аналогам — уточните детали!