IGBT 2DI150A050

Описание IGBT модуля 2DI150A050

2DI150A050 – это IGBT-модуль, предназначенный для высоковольтных и сильноточных применений, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и промышленные приводы. Модуль включает в себя два IGBT транзистора с обратными диодами в полумостовой (Half-Bridge) конфигурации.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-------------------------------| | Тип модуля | Полумост (Half-Bridge) | | Максимальное напряжение (V_CES) | 500 В | | Номинальный ток (I_C) | 150 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 300 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | до 300 Вт (с радиатором) | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при номинальном токе) | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температура эксплуатации | -40°C до +150°C | | Корпус | Стандартный модуль (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF150R05KT3, FF150R05KE3
• Fuji Electric: 2MBI150N-050
• SEMIKRON: SKM150GB063D
• Mitsubishi: CM150DY-12A

Совместимые серии и варианты:

• 2DI150A060 (600 В версия)
• 2DI75A050 (аналог с меньшим током)
• 2DI200A050 (аналог с большим током)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Примечание

Перед заменой модуля на аналог рекомендуется проверять распиновку и характеристики управления, так как у разных производителей могут быть отличия в схемотехнике.

Если нужна более точная информация по конкретному аналогу, уточните условия применения.