IGBT 2DI100Z-120-01

Описание IGBT-модуля 2DI100Z-120-01

2DI100Z-120-01 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и мощных преобразовательных систем. Модуль используется в инверторах, частотных приводах, сварочном оборудовании и промышленных источниках питания.

Ключевые особенности:

• Двухключевая топология (Half-Bridge) – содержит два IGBT с антипараллельными диодами.
• Высокое напряжение – до 1200 В.
• Большой ток – до 100 А (зависит от условий охлаждения).
• Низкие коммутационные потери благодаря технологии Trench/Field-Stop.
• Изолированный корпус для удобного монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C при 25°C) | 100 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 200 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 100 А) |
| Макс. мощность потерь (P_tot) | 300 Вт (с теплоотводом) |
| Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C |
| Термосопротивление (R_th(j-c)) | 0,25 К/Вт |
| Время включения/выключения (t_r/t_f) | ~50 нс / 100 нс |
| Корпус | Изолированный, модульный (например, SEMiX или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные аналоги (производитель – возможно, Infineon, Fuji, SEMIKRON):

• SKM100GB12T4 (SEMIKRON)
• FF100R12KT4 (Infineon)
• 2MBI100VA-120 (Fuji Electric)

Cross-reference (в зависимости от производителя):

• CM100DY-12H (Mitsubishi)
• MG100Q2YS40 (Hitachi)

Применяемость

Модуль 2DI100Z-120-01 может быть заменен на аналогичные модели с такими же параметрами (1200 В, 100 А, Half-Bridge). Однако перед заменой необходимо сверять:

• Распиновку и корпус.
• Условия охлаждения (термосопротивление).
• Характеристики встроенных диодов.

Для точного аналога рекомендуется проверять документацию производителя.

Если нужна помощь с подбором или уточнением параметров – укажите сферу применения!