IGBT 20-R-1203

Описание IGBT 20-R-1203

IGBT 20-R-1203 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокочастотных применений. Компонент обеспечивает эффективное управление мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных системах.

Отличается низкими потерями проводимости и переключения, высокой температурной стабильностью и надежностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|-----------------------------|
| Тип устройства | IGBT |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 20 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 40 А |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.5 °C/Вт |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 / TO-3P |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA20N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• H20R1203 (Infineon)
• STGW20NC120HD (STMicroelectronics)
• IXGH20N120B3 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модули (если IGBT встроен в модуль):

• CM200DY-24H (Mitsubishi)
• FF200R12KE3 (Infineon)

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните модель производителя.