IGBT 20D101

Описание IGBT 20D101

IGBT 20D101 — это биполярный транзистор с изолированным затвором, предназначенный для высокоэффективного переключения в силовой электронике. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других приложениях, требующих высокой мощности и надежности.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1000 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 20 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 10 А |
| Максимальная импульсная мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~0.25 Ом (тип.) |
| Тепловое сопротивление (R_thJC) | ~0.8 °C/Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (прямые аналоги)

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• H20R1203 (Infineon)
• STGW20NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH20N100A (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели (с близкими параметрами)

• IRGP4063DPBF (600 В, 24 А)
• FGH40N60SFD (600 В, 40 А)
• IXGH32N60B2D1 (600 В, 32 А)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (UPS)
• Электроприводы и сервосистемы

Если вам нужны точные данные для конкретного производителя, уточните маркировку (например, Infineon 20D101, Mitsubishi 20D101 и т. д.), так как параметры могут различаться.