IGBT 20B60PD1

Описание IGBT 20B60PD1

IGBT 20B60PD1 – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых приложений. Он используется в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и системах управления двигателями.

Этот IGBT имеет низкие потери при переключении и высокую устойчивость к перегрузкам, что делает его надежным компонентом в мощных преобразовательных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип прибора | NPT IGBT с диодом | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 20 А (при 25°C) | | Ток импульсный (I_CM) | 40 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 100 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Сопротивление в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 10 А) | | Время включения (t_on) | ~50 нс | | Время выключения (t_off) | ~280 нс | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Диод обратного восстановления (t_rr) | ~120 нс | | Температура хранения | от -55°C до +150°C | | Температура перехода (T_j) | до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• H20R1202 (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA20N60FTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW20NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH20N60B3D1 (IXYS)

Близкие по параметрам (с возможной заменой):

• 20N60 (600 В, 20 А, различные производители)
• 25B60 (600 В, 25 А, аналогичный корпус)
• IRGP20B60PD (Infineon)

Производители:

• Infineon Technologies
• Fairchild (ON Semi)
• STMicroelectronics
• IXYS

Примечание

При замене IGBT 20B60PD1 на аналог необходимо учитывать:

• Рабочее напряжение (600 В)
• Ток коллектора (20 А и выше)
• Наличие встроенного диода (если требуется)
• Корпус (TO-247 или TO-3P для совместимости)

Если точный аналог не найден, рекомендуется проверять datasheet на соответствие электрическим параметрам.