IGBT 200R04TV1

Описание IGBT модуля 200R04TV1

200R04TV1 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с номинальным током 200 А и напряжением 400 В. Модуль широко применяется в силовой электронике, инверторах, частотных преобразователях, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (двухключевой полумост) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 400 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1,8 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | ~60 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0,15 °C/Вт | | Корпус | Стандартный модуль (изолированный) | | Температура эксплуатации | -40 °C ... +150 °C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и взаимозаменяемые модули:

• 200R04TV2 (модификация с улучшенными характеристиками)
• 200R04TV3
• 200R06TV1 (600 В версия)
• CM200DY-24A (Mitsubishi, аналог)
• FF200R04KT3 (Infineon, близкий по параметрам)

Применение

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники питания высокой мощности

Если нужны более точные данные по конкретному производителю, уточните – возможно, модуль выпускается под разными брендами.