IGBT 200-MG12100BN2MM

Описание IGBT модуля 200-MG12100BN2MM

Тип: Высоковольтный IGBT-модуль с диодом обратного восстановления (FRD)
Производитель: Mitsubishi Electric (или другой, в зависимости от фактического бренда)
Применение:

• Промышленные преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|-----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 100 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.12 °C/Вт |
| Корпус | Модуль (изолированный, с нижним радиатором) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные замены:

• 200-MG12100BN2MM (полный аналог)
• 200-MG12100BN2 (вариант без "MM" в конце, если существует)
• CM200DY-12NF (возможный аналог от Powerex)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Fuji Electric: 2MBI200VA-120-50
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Примечание

Перед заменой модуля уточните распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в управляющих цепях и тепловых параметрах.

Если вам нужна дополнительная информация (например, схема включения или документация), укажите это!