IGBT 1MBI200120B

Описание IGBT модуля 1MBI200120B

1MBI200120B – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный компанией Mitsubishi Electric. Модуль предназначен для применения в силовой электронике, включая:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления двигателями
• Промышленные приводы

Модуль имеет высокую эффективность, низкие потери и хорошую перегрузочную способность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------|----------| | Тип модуля | IGBT с диодом обратного хода (NPT-IGBT + FRD) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Ток при 80°C (I_C) | ~120-150 А | | Макс. импульсный ток (I_CP) | 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | ~600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | ~100 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.12 °C/Вт | | Диапазон рабочих температур | -40°C до +150°C | | Корпус | 6-выводной (стандартный модуль) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены от Mitsubishi:

• 1MBI200120A (предыдущая версия)
• 1MBI200120E (улучшенная версия)
• 1MBI200120F (модификация с улучшенными характеристиками)

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3 / FF200R12KT3
• Fuji Electric: 2MBI200VA-120-50
• Semikron: SKM200GB12T4
• STMicroelectronics: STGW200NC120HD

Применение и особенности

• Подходит для мощных инверторных систем и промышленных приводов.
• Имеет встроенный антипараллельный диод для защиты от обратного напряжения.
• Требует эффективного охлаждения (радиатор + термопаста).

Если вам нужна более точная информация по заменам или схемы подключения, уточните условия эксплуатации.