IGBT 1MBH25-120

Описание IGBT-модуля 1MBH25-120

1MBH25-120 – это IGBT-модуль (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений. Модуль широко используется в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (двухполупериодный) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 25 А |
| Ток короткого замыкания (I_SC) | 50 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В |
| Время включения (t_on) | 0,3 мкс |
| Время выключения (t_off) | 0,8 мкс |
| Корпус | TO-247 (одиночный модуль) |
| Рабочая температура | -40 °C … +150 °C |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,5 °C/Вт |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные замены:

• Fuji Electric: 1MBH25-120 (оригинал)
• Mitsubishi: CM75DY-24H
• Infineon: IKW25N120T2

Совместимые модели (аналоги):

• IR (Infineon): IRG4PH40UD
• STMicroelectronics: STGW30NC120HD
• Toshiba: MG25Q2YS40

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление двигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Модуль 1MBH25-120 отличается высокой надежностью и эффективностью, что делает его популярным в промышленных и силовых приложениях.

Если вам нужна дополнительная информация по аналогам или схемам подключения, уточните детали!