IGBT 1DI300Z120

Описание IGBT модуля 1DI300Z120

1DI300Z120 – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений в промышленной электронике, таких как:

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварка и другие силовые электронные устройства

Модуль выполнен в изолированном корпусе, что обеспечивает надежную защиту и удобство монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT + диод |
| Макс. напряжение (V_CES) | 1200 В |
| Номинальный ток (I_C) | 300 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 600 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | ~2.0 В (при 300 А) |
| Время включения (t_on) | ~100 нс |
| Время выключения (t_off) | ~500 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | ~0.12 °C/Вт |
| Рабочая температура | -40°C ... +150°C |
| Корпус | Изолированный модуль (например, SEMiX) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF300R12KE3, FZ300R12KE3
• Mitsubishi: CM300DY-12NF
• Fuji Electric: 2MBI300N-120
• SEMIKRON: SKM300GB12T4

Совместимые модели в других линейках:

• 1DI300Z060 (600 В, 300 А)
• 1DI400Z120 (1200 В, 400 А)
• 1DI200Z170 (1700 В, 200 А)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия.
• Рекомендуется использовать оригинальные или сертифицированные аналоги для гарантии надежности.

Если вам нужна более точная информация по конкретному производителю или даташит – уточните бренд модуля.