IGBT 19NC60WD

Описание IGBT 19NC60WD

IGBT 19NC60WD — это изолированный затворный биполярный транзистор (IGBT) с напряжением коллектор-эмиттер 600 В и током коллектора 19 А. Этот компонент предназначен для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочных аппаратах и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 19 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 12 А |
| Максимальная импульсная мощность (P_tot) | 160 Вт |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 19 А) |
| Время включения (t_on) | 30 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Корпус | TO-247 |
| Рабочая температура | от -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

• Прямые аналоги:

  • IRG4PC50WD (Infineon)
  • FGH19N60UFD (Fairchild/ON Semi)
  • STGW19NC60WD (STMicroelectronics)
  • HGTG19NC60WD (ON Semiconductor)
  • IXGH19N60BD1 (IXYS)

• Совместимые модели в схемах:

  • IRGP4063DPBF (Infineon)
  • FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
  • STGP19NC60WD (STMicroelectronics)

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять распиновку и параметры, так как характеристики могут незначительно отличаться.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!