IGBT 132/14E

Описание и технические характеристики IGBT 132/14E

IGBT 132/14E – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах, системах управления двигателями и других высоковольтных приложениях.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT-модуль (N-канальный) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1400 В | | Ток коллектора (I_C) | 130–150 А (зависит от условий охлаждения) | | Ток импульсный (I_CM) | До 300 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | До 600–800 Вт (с радиатором) | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В (рекомендуемое: +15 В / -5…-15 В) | | Сопротивление в открытом состоянии (R_DS(on)) | ~20–40 мОм | | Температура перехода (T_j) | -40…+150 °C | | Корпус | Обычно модульный (TO-247, TO-264 или аналогичный) |

Совместимые и альтернативные модели (парт-номера):

Аналоги от других производителей:

• Infineon: IKW75N65EH5, IKW40N120H3
• Fuji Electric: 2MBI200U4A-140
• Mitsubishi: CM300DY-24NF
• SEMIKRON: SKM300GB12T4

Парт-номера для замены (в зависимости от производителя):

• EUPEC (Infineon): BSM150GB140DLC
• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• Toshiba: MG150Q1US41

Применение:

• Преобразователи частоты (ЧПУ)
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Промышленные источники питания

Если вам нужны точные параметры для конкретной модели (например, тепловые характеристики или графики зависимости тока от температуры), уточните производителя или datasheet.