IGBT 130rz2h

IGBT 130RZ2H – это модуль IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в мощных преобразовательных устройствах, таких как инверторы, частотные приводы и системы управления электродвигателями.

Технические характеристики:

• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 130 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): до 260 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): ~300-400 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): ~1,8–2,5 В (при номинальном токе)
• Время включения (t_on): ~50–100 нс
• Время выключения (t_off): ~200–400 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): ~0,15–0,25 °C/Вт
• Корпус: модульный (например, TO-247, но уточняется по datasheet)
• Температура эксплуатации: -40°C до +150°C

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW30N120H3, IKW40N120H3 (с меньшим током, но похожие характеристики)
• Fuji Electric: 2MBI200U2A-120 (более мощный аналог)
• Mitsubishi: CM300DY-24A (для более высоких токов)
• Semikron: SKM150GB12T4 (альтернатива с похожими параметрами)

Совместимые модели в схемах:

• Может заменяться на модули с аналогичными V_CES (1200 В) и близким током (100–150 А), например:
  • IRG4PH50UD (International Rectifier)
  • STGW30H120DF (STMicroelectronics)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Инверторы для солнечных электростанций
• Сварочные аппараты
• Промышленные системы управления двигателями

Примечание: Точные параметры могут отличаться в зависимости от производителя. Рекомендуется проверять datasheet конкретного бренда перед заменой.

Если вам нужен datasheet на конкретную модель, уточните производителя (например, Toshiba, Infineon, Mitsubishi), чтобы подобрать точные аналоги.