IGBT 12NAN126V1

Описание и технические характеристики IGBT 12NAN126V1

IGBT 12NAN126V1 – это высоковольтный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания и системах управления двигателями. Этот компонент отличается высокой надежностью, низкими коммутационными потерями и высокой эффективностью.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1260 В
• Ток коллектора (I_C): 12 А (при 25°C)
• Ток импульсный (I_CM): 24 А
• Мощность рассеивания (P_D): 80 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,0 В (при I_C = 12 А)
• Время включения (t_on): 25 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (3-выводный, изолированный или неизолированный вариант)

Парт-номера и аналоги:

• Аналоги от других производителей:

  • Infineon: IHW12N126R1
  • STMicroelectronics: STGW12NC126V
  • Fuji Electric: 2MBI12U1C-126
  • Mitsubishi Electric: CM12DY-12S

• Совместимые модели:

  • 10NAN126V1 (10 А, 1260 В)
  • 15NAN126V1 (15 А, 1260 В)
  • 12NAN120V1 (12 А, 1200 В)

Применение:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочное оборудование
• Солнечные инверторы

Если вам нужна более точная замена или дополнительная информация по аналогам, уточните условия работы (частота, нагрузка, схема включения).